制造商型号： | FDD86102LZ |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK |
供货： | 国内现货 工作日（1~3工作日） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FDD86102LZ
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FDD86102LZ 中文资料
数据手册PDF
FDD86102LZ 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDD86102LZ
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
PowerTrench?
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
22.5mOhm @ 8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
26nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1540pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D-PAK (TO-252)
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.731869 | 10.73 |
| 10 | 9.651184 | 96.51 |
| 100 | 7.757109 | 775.71 |
| 500 | 6.373247 | 3186.62 |
| 1000 | 5.280721 | 5280.72 |
品牌其他型号
FDD86102LZ品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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